半導体製造装置及び製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：武顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-384872
公開番号（公開出願番号）：特開2003-188220
出願日： 2001年12月18日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
要約：

【要約】【課題】エッチング処理装置等の処理装置の処理不良を早期に発見して試料及び処理時間のロスを低減することのできる半導体製造装置を提供する。【解決手段】ウエハに形成される素子の形状あるいは寸法を測定する組み込み型計測手段106と、減圧下で生成されたプラズマを利用して前記ウエハをエッチング処理するエッチング処理装置101と、エッチング処理後の前記ウエハをアッシング処理するアッシング処理装置102と、エッチング処理後の前記ウエハを湿式処理する湿式処理装置107と、前記湿式処理を終えたウエハを乾燥するための乾燥処理装置108と、ウエハカセット搬入口に搬入された前記ウエハを前記組み込み型計測手段及び前記各処理装置に順次1枚ずつ搬送する搬送手段103と、前記組み込み型計測手段106、エッチング処理装置101、アッシング処理装置102、湿式処理装置107、乾燥処理装置108及び搬送手段を減圧可能な搬送通路103aで接続するとともに、エッチング対象となるウエハを複数枚収納するカセットを搬入するためのウエハカセット搬入口を備えた搬送処理室からなる。

請求項（抜粋）：

ウエハに形成される素子の形状あるいは寸法を測定する組み込み型計測手段と、減圧下で生成されたプラズマを利用して前記ウエハをエッチング処理するエッチング処理装置と、エッチング処理後の前記ウエハをアッシング処理するアッシング処理装置と、エッチング処理後の前記ウエハを湿式処理する湿式処理装置と、前記湿式処理を終えたウエハを乾燥するための乾燥処理装置と、ウエハカセット搬入口に搬入された前記ウエハを前記組み込み型計測手段及び前記各処理装置に順次1枚ずつ搬送する搬送手段と、前記組み込み型計測手段、エッチング処理装置、アッシング処理装置、湿式処理装置、乾燥処理装置及び搬送手段を減圧可能な搬送通路で接続するとともに、エッチング対象となるウエハを複数枚収納するカセットを搬入するためのウエハカセット搬入口を備えた搬送処理室からなることを特徴とする半導体製造装置。

Fターム (8件)：

4M106AA01 , 4M106BA04 , 4M106DB00 , 4M106DB18 , 4M106DB21 , 4M106DJ11 , 4M106DJ20 , 4M106DJ21

引用特許：

出願人引用 (2件)

プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-012724 出願人：株式会社日立製作所
特開平4-107821

審査官引用 (2件)

プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-012724 出願人：株式会社日立製作所
特開平4-107821

前のページに戻る