特許
J-GLOBAL ID:200903038449857057

受光用半導体集積回路

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 安富 耕二 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-240696
公開番号(公開出願番号):特開2000-068947
出願日: 1998年08月26日
公開日(公表日): 2000年03月03日
要約:
【要約】【課題】 寄生容量による悪影響を低減した受光用半導体集積回路を提供する。【解決手段】 所定の大きさの受光素子を複数個に分割した受光素子5a〜5dからの出力信号が電流電圧変換回路6で加算されると共に電流電圧変換されることにより、出力電圧Voutが生成される。受光素子5a〜5cdに分割して、面積を小さくしたので、寄生容量が小さくなり、出力周波数特性が改善される。
請求項(抜粋):
受光素子と、受光素子の出力信号を電流電圧変換する電流電圧変換回路とを同一半導体基板上に集積化された受光用半導体集積回路において、前記受光素子を、この受光素子部に発生する寄生容量が減少するように、複数の領域に分割し、それぞれの受光素子の出力信号を加算した信号を電流電圧変換回路に印加させることを特徴とする受光用半導体集積回路。
IPC (7件):
H04B 10/28 ,  H04B 10/26 ,  H04B 10/14 ,  H04B 10/04 ,  H04B 10/06 ,  H01L 31/10 ,  H03F 3/08
FI (3件):
H04B 9/00 Y ,  H03F 3/08 ,  H01L 31/10 G
Fターム (25件):
5F049NA03 ,  5F049NA04 ,  5F049NB08 ,  5F049NB10 ,  5F049RA01 ,  5F049RA06 ,  5F049UA12 ,  5F049UA13 ,  5F049WA01 ,  5J092AA01 ,  5J092AA47 ,  5J092AA56 ,  5J092CA18 ,  5J092FA00 ,  5J092HA19 ,  5J092HA25 ,  5J092HA44 ,  5J092KA26 ,  5J092KA27 ,  5J092MA11 ,  5J092QA04 ,  5K002AA03 ,  5K002BA01 ,  5K002BA07 ,  5K002CA03
引用特許:
審査官引用 (6件)
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