特許

J-GLOBAL ID：200903077834738935

窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子

発明者： 山田 孝夫
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-119377
公開番号（公開出願番号）：特開平11-312825
出願日： 1998年04月28日
公開日（公表日）： 1999年11月09日
要約：

【要約】【課題】 基板となる結晶欠陥の少ない窒化物半導体の成長方法と、窒化物半導体基板を有する新規な構造の素子を提供することにある。【解決手段】 異種基板1上に、第1の窒窒化物半導体層2を成長させ、この上に保護膜3を形成させ、第1の化物半導体層2を一部除去して凹凸を形成し、凹部底面に対して凹部側面の露出された第1の窒化物半導体層の端面への窒化物半導体の成長が優先されるように、露出された第1の窒化物半導体層2の端面の長さと凹部の開口部の幅とを調整して凹凸が形成されており、凹凸が形成された第1の窒化物半導体層2の上に第2の窒化物半導体層5を成長させ、基板となる窒化物半導体を得る。またこの窒化物半導体を基板とし素子構造を形成する。

請求項（抜粋）：

窒化物半導体と異なる材料よりなる異種基板の上に、第1の窒化物半導体層を成長させる第1の工程と、第1の工程後、第1の窒化物半導体層の上に保護膜を形成する第2の工程と、第2の工程後、第1の窒化物半導体層の端面を露出させるために、第1の窒化物半導体層の一部を除去して凹凸を形成する第3の工程と、第3の工程後、第2の窒化物半導体層を成長させる第4の工程とを含み、更に前記凹凸を形成する際に、凹部の底面に対して露出された第1の窒化物半導体層の端面への窒化物半導体の成長が優先されるように、露出された第1の窒化物半導体層の端面の長さと凹部の開口部の幅とを調整することを特徴とする窒化物半導体の成長方法。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01L 33/00 C ,  H01S 3/18 ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (1件)

• III族-N系結晶の気相エッチング方法および再成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-212374   出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー