特許

J-GLOBAL ID：200903038498765648

SiC単結晶の育成方法

発明者： 梶ヶ谷 富男
出願人/特許権者： 住友金属鉱山株式会社
代理人 (1件)： 上田 章三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-356074
公開番号（公開出願番号）：特開平10-182297
出願日： 1996年12月24日
公開日（公表日）： 1998年07月07日
要約：

【要約】【課題】 デバイス動作不良の原因となるマイクロパイプ等の結晶欠陥が無くかつ高品質で大型のSiC単結晶を育成できるSiC単結晶の育成方法を提供すること。【解決手段】 平板状の種結晶を用いた昇華法によるSiC単結晶の育成方法であり、(0001)面に平行若しくは垂直な面を持つ種結晶を用いてSiC結晶の第一育成を行った後、この育成されたSiC結晶から第一育成とは垂直な面方位を持つ(0001)面に垂直若しくは平行な面で切り出したウエーハを種結晶としてSiC結晶の第二育成を行うと共に、これ等第一育成と第二育成とを交互に必要回繰返してSiC単結晶を育成させることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

平板状の種結晶を用いた昇華法によるSiC単結晶の育成方法において、(0001)面に平行若しくは垂直な面を持つ種結晶を用いてSiC結晶の第一育成を行った後、この育成されたSiC結晶から第一育成とは垂直な面方位を持つ(0001)面に垂直若しくは平行な面で切り出したウエーハを種結晶としてSiC結晶の第二育成を行うと共に、これ等第一育成と第二育成とを交互に必要回繰返してSiC単結晶を育成させることを特徴とするSiC単結晶の育成方法。

IPC (2件)：

C30B 29/36 ,  C30B 23/00

FI (2件)：

C30B 29/36 A ,  C30B 23/00

引用特許：

審査官引用 (2件)

• SiC単結晶の成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-286956   出願人：新日本製鐵株式会社
• 特開平3-295898