特許
J-GLOBAL ID：200903088768019940
SiC単結晶の成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八田 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-286956
公開番号（公開出願番号）：特開平8-143396
出願日： 1994年11月21日
公開日（公表日）： 1996年06月04日
要約：
【要約】【目的】 マイクロパイプ欠陥の非常に少ない良質で大型のSiC単結晶を成長させる方法を提供する。【構成】 昇華再結晶法において、{0001}面から約60°〜約120°傾いた結晶面を第1の種結晶として使用して成長した第1のSiC単結晶から、新たに{0001}ウェハを取り出し、これを第2の種結晶として成長を行なう。
請求項（抜粋）：
黒鉛製の坩堝内においてSiC原料粉末を不活性気体雰囲気中で加熱昇華させ原料よりやや低温になっている種結晶のSiC単結晶基板上にSiC単結晶を成長させる昇華再結晶法において、{0001}面から約60°〜約120°傾いたSiC単結晶の結晶面を第1の種結晶として使用して成長させた第1のSiC単結晶から、新たに{0001}ウェハを取り出し、これを第2の種結晶とし再び上記昇華再結晶法によって第2のSiC単結晶を成長させる方法。
IPC (3件)：
C30B 29/36
, C30B 23/00
, H01L 21/203
