特許

J-GLOBAL ID：200903038505259621

集積型薄膜太陽電池のレーザ加工方法

発明者： 藤掛 伸二 ,  横山 康弘
出願人/特許権者： 富士電機ホールディングス株式会社
代理人 (1件)： 服部 毅巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-131768
公開番号（公開出願番号）：特開2004-335863
出願日： 2003年05月09日
公開日（公表日）： 2004年11月25日
要約：

【課題】低コストで高い生産性を実現でき、かつ、安定性に優れたレーザ加工方法を提供する。【解決手段】本発明のレーザ加工方法では、集積型薄膜太陽電池の製造における分離工程に適用されるレーザ加工方法において、その分離工程をガルバノミラー6の駆動によるレーザ光走査により行い、その際、ガルバノミラー6を介して照射されるレーザ光の可撓性基板2への入射角度を、可撓性基板2の加工面の法線方向に対して30度以内となるように設定する。そして、より好ましくは、ガルバノミラー6におけるレーザ光の投光位置と可撓性基板2との距離を3000mm以下の範囲に設定する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

絶縁性基板の一方の面に透明電極層,光電変換層,裏面電極層を積層配置し、その積層体の分離工程及び各層間の接続工程を経て形成される集積型薄膜太陽電池の製造工程に適用されるレーザ加工方法において、 少なくとも一つの分離工程を、一又は複数のガルバノミラーの駆動によるレーザ光走査により行い、その際、前記ガルバノミラーを介して照射されるレーザ光の前記絶縁性基板への入射角度を、前記絶縁性基板の加工面の法線方向に対して30度以内となるように設定することを特徴とする集積型薄膜太陽電池のレーザ加工方法。

IPC (4件)：

H01L31/04 ,  B23K26/00 ,  B23K26/04 ,  G02B26/10

FI (6件)：

H01L31/04 S ,  B23K26/00 H ,  B23K26/00 320E ,  B23K26/04 Z ,  G02B26/10 C ,  G02B26/10 104Z

Fターム (13件)：

2H045AB01 ,  2H045BA12 ,  4E068AE00 ,  4E068CA08 ,  4E068CD11 ,  4E068CE02 ,  4E068DA09 ,  5F051AA05 ,  5F051BA12 ,  5F051BA14 ,  5F051EA16 ,  5F051GA05 ,  5F051GA06

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 薄膜光電変換モジュールの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-060575   出願人：鐘淵化学工業株式会社
• レーザビーム照射装置およびレーザビーム照射方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-079399   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所