特許
J-GLOBAL ID：200903038529208254
半導体集積回路装置およびそれを用いたメモリカード
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-133775
公開番号（公開出願番号）：特開平11-328990
出願日： 1998年05月15日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：
【要約】【課題】 不良セクタの自己代替えを行うことにより、コントローラを不要とし、低コストでデータ処理を高速で行う。【解決手段】 内部コントローラ10が、フラッシュメモリアレイ15から転送され、データバッファ8に格納された1セクタのデータのうち、管理データを読み出し、不良セクタがあるか否かの判断を行い、良セクタの場合には、内部コントローラ10は、データバッファ8にあるユーザ領域のデータが正しいと判断してI/Oバッファ5を介してデータ出力を行う。また、不良セクタの場合には、内部コントローラ10が、不良登録テーブルにおける代替え先登録位置を算出し、代替え先登録位置における代替え先のセクタアドレスを取得し、その代替えセクタアドレスを内部アドレスとして、フラッシュメモリアレイ15から1セクタのデータをデータバッファ8に転送し、I/Oバッファ5を介して出力する。
請求項（抜粋）：
不良登録テーブルが設けられた不揮発性メモリと、前記不揮発性メモリに不良セクタがある場合に、その不良セクタの代替を行う不良セクタ代替制御手段とを1つの半導体基板上に備えたことを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (4件)：
G11C 29/00 601
, G06F 12/16 310
, G06K 19/07
, G11C 16/06
G11C 29/00 601 B
, G06F 12/16 310 R
, G06K 19/00 N
, G11C 17/00 639 A
