特許

J-GLOBAL ID：200903038538987886

窒化物半導体素子

発明者： 齋藤 渉 ,  大村 一郎
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-230390
公開番号（公開出願番号）：特開2007-048866
出願日： 2005年08月09日
公開日（公表日）： 2007年02月22日
要約：

【課題】 高電圧ストレスによりパッシベーション膜が劣化しない窒化物半導体素子を提供する。【解決手段】 HFETのパッシベーション膜6上に、少なくともゲート-ドレイン間の一部領域を覆いドレイン電極4に接続される半絶縁膜7を設ける。パッシベーション膜を薄く形成することにより高電界によって発生したホットエレクトロン9を半絶縁膜7を介してドレイン電極に排出する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

窒化物半導体のヘテロ接合を有する構造体と、 前記構造体の上に設けられたソース電極およびドレイン電極と、 前記ソース電極と前記ドレイン電極との間において直接もしくは絶縁膜を介して前記構造体の上に設けられたゲート電極と、 前記構造体と前記ゲート電極の上に延在して設けられた第1の絶縁膜と、 前記第1の絶縁膜上の前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間の領域の少なくとも一部に設けられ、前記ドレイン電極と電気的に接続された第1の半絶縁膜と、 を備えたことを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (5件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/78

FI (4件)：

H01L29/80 Q ,  H01L29/80 H ,  H01L29/06 301F ,  H01L29/78 301B

Fターム (32件)：

5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GN07 ,  5F102GN08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GT03 ,  5F102GV05 ,  5F102GV06 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F140AA23 ,  5F140AA25 ,  5F140AA30 ,  5F140AC22 ,  5F140AC36 ,  5F140BA02 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BB18 ,  5F140BF01 ,  5F140BJ01 ,  5F140CC01 ,  5F140CC02 ,  5F140CD08

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-000842   出願人：日本電気株式会社
• 特開平2-130959号公報