電界効果トランジスタ

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：速水進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-000842
公開番号（公開出願番号）：特開2004-214471
出願日： 2003年01月07日
公開日（公表日）： 2004年07月29日
要約：

【課題】コラプスおよびゲート耐圧のバランスに優れたトランジスタを提供する。【解決手段】ゲート電極2およびドレイン電極3の間に、電界制御電極5を形成する。電界制御電極5の下に、SiN膜21およびSiO2膜22からなる積層膜を形成する。SiN膜21はAlGaN電子供給層13の表面を覆うように形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ヘテロ接合を含むIII族窒化物半導体層構造と、該半導体層構造上に離間して形成されたソース電極およびドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極の間に配置されたゲート電極と、を備え、前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間の領域において、前記III族窒化物半導体層構造の上部に絶縁膜を介して電界制御電極が形成され、前記絶縁膜が、シリコンおよび窒素を構成元素として含む第一の絶縁膜と、前記第一の絶縁膜よりも低い比誘電率を有する第二の絶縁膜とを含む積層膜であることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/80 , H01L29/812

FI (2件)：

H01L29/80 H , H01L29/80 W

Fターム (23件)：

5F102FA01 , 5F102FA03 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GC05 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GN04 , 5F102GQ01 , 5F102GR04 , 5F102GR12 , 5F102GS01 , 5F102GT01 , 5F102GV05 , 5F102GV06 , 5F102GV07 , 5F102GV08 , 5F102HC01 , 5F102HC15 , 5F102HC21

引用特許：

審査官引用 (11件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-146563 出願人：ソニー株式会社
電界効果型トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-168602 出願人：日本電気株式会社
特開平2-072667

全件表示

引用文献：

審査官引用 (2件)

前のページに戻る