特許
J-GLOBAL ID：200903038550256706
半導体装置、該半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊藤 進
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-133060
公開番号（公開出願番号）：特開2007-305804
出願日： 2006年05月11日
公開日（公表日）： 2007年11月22日
要約：
【課題】半導体層となる半導体ウエハの機械的強度を確保したままでウエハ加工の容易性を実現できるとともに、製造工程における歩留まり向上及びコスト削減を実現することができる半導体装置、該半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】少なくとも電極パッド5とデバイス23とが表面の半導体層13上に形成された半導体チップ3と、半導体チップ3の表面に貼着された、デバイス23に対向する位置に凹部2Hが形成された封止キャップ2と、凹部2Hにより、半導体チップ3と封止キャップ2との間に形成された空隙から構成されるキャビティ30と、を具備し、半導体チップ3は、表面に対向する裏面の一部に段差が形成された不均一の厚さに形成されていることを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
少なくとも入出力用電極パッドとデバイスとが表面の半導体層上に形成された半導体チップと、
前記半導体チップの前記表面に貼着された、前記デバイスに対向する位置に凹部が形成された封止キャップと、
前記凹部により、前記半導体チップと前記封止キャップとの間に形成された空隙から構成される気密封止部と、
を具備し、
前記半導体チップは、前記表面に対向する裏面の一部に段差が形成された不均一の厚さに形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 23/02
, H01L 23/20
, H01L 27/14
, B81C 3/00
H01L23/02 J
, H01L23/20
, H01L27/14 D
, B81C3/00
4M118AA08
, 4M118AB01
, 4M118BA10
, 4M118BA14
, 4M118CB20
, 4M118HA02
, 4M118HA05
, 4M118HA14
, 4M118HA31
, 4M118HA33
