特許

J-GLOBAL ID：200903093014734981

半導体装置及びその製造方法

発明者： 池田 修 ,  大古田 敏幸
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 須藤 克彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-145872
公開番号（公開出願番号）：特開2005-019966
出願日： 2004年05月17日
公開日（公表日）： 2005年01月20日
要約：

【課題】 半導体装置のパッケージを小型化すると共に、製造工程を簡略化して製造コストを削減する。【解決手段】 表面にMEMSデバイス11A及びその不図示の配線を形成した半導体チップ10Aを複数配置して成る半導体ウェハ30Aと、封止キャップ20Aを複数配置したキャップ・アレイ・ウェハ40Aとを接着し、そのキャビティCVにMEMSデバイス11Aを封止する。そして、半導体ウェハ30Aを貫通して複数のビアホール13を設けて埋め込み電極14を形成し、さらにバンプ電極15を形成する。以上の工程の後、この構造体を、スクライブラインLに沿って切断することにより、個々のパッケージに分割する。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

表面に被封止デバイスが形成された半導体チップと、 前記半導体チップの表面に接着され、前記被封止デバイスを、前記半導体チップとそれとの間の空間で形成されるキャビティ内に封止する封止キャップと、を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L23/02 ,  H01L23/12 ,  H01L27/14 ,  H01L31/02

FI (5件)：

H01L23/02 B ,  H01L23/12 501C ,  H01L23/12 501Z ,  H01L31/02 B ,  H01L27/14 D

Fターム (22件)：

4M118AA08 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118GC00 ,  4M118GC03 ,  4M118GC17 ,  4M118HA02 ,  4M118HA21 ,  4M118HA31 ,  4M118HA33 ,  5F088BA13 ,  5F088BA15 ,  5F088BA16 ,  5F088BA18 ,  5F088BB03 ,  5F088EA04 ,  5F088EA20 ,  5F088FA11 ,  5F088JA03 ,  5F088JA05 ,  5F088JA20

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 窓材付きキャン及び固定方法並びに温度センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-164636   出願人：オムロン株式会社
• サーモパイル型温度センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-083024   出願人：オムロン株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-180800   出願人：オムロン株式会社

審査官引用 (2件)

• 電子デバイス及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-161816   出願人：松下電器産業株式会社
• 受光センサーの実装構造体およびその使用方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-173845   出願人：キヤノン株式会社