特許
J-GLOBAL ID：200903038554243692

半導体装置及びその作製方法

発明者：
磯部 敦生

磯部 敦生 について

, 
徳永 肇

徳永 肇 について

, 
山口 真弓

山口 真弓 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-045792
公開番号（公開出願番号）：特開2006-287205
出願日： 2006年02月22日
公開日（公表日）： 2006年10月19日
要約：
【課題】LDD領域を有する微細TFTを、工程数の少ないプロセスで作製し、各回路に応じた構造のTFTを作り分けることを課題とする。また、LDD領域を有する微細TFTであってもオン電流を確保することを課題とする。【解決手段】ゲート電極を2層とし、下層のゲート電極のゲート長を上層のゲート電極のゲート長よりも長くし、ハットシェイプ型のゲート電極を形成する。この際に、レジストの後退幅を利用して上層のゲート電極のみをエッチングし、ハットシェイプ型のゲート電極を形成する。また、配線と半導体膜のコンタクト部をシリサイド化し、コンタクト抵抗を下げる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板上に形成され、チャネル形成領域、低濃度不純物領域及び高濃度不純物領域を有する半導体膜と、 前記高濃度不純物領域の一部を露出するように形成されたゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上に形成され、第1の導電膜及び前記第1の導電膜上の第2の導電膜でなるゲート電極と、 前記ゲート電極の側面に接して形成されたサイドウォールと、 前記高濃度不純物領域の表面に形成されたシリサイド層と、 前記シリサイド層と接続する配線とを有し、 前記ゲート絶縁膜のチャネル長方向の端部は前記サイドウォールの端部と一致し、 前記第1の導電膜は前記第2の導電膜よりもゲート長方向の長さが長く、 前記低濃度不純物領域は前記第1の導電膜と前記ゲート絶縁膜を介して重なるとともに、前記第2の導電膜と重ならないことを特徴とする半導体装置。
IPC (8件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 21/28 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/320 ,  H01L 21/768
FI (8件)：
H01L29/78 616A ,  H01L29/78 617L ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/58 G ,  H01L21/28 A ,  H01L21/28 301S ,  H01L21/88 R ,  H01L21/90 A
Fターム (191件)：
4M104AA01 ,  4M104AA03 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB22 ,  4M104BB25 ,  4M104BB32 ,  4M104CC05 ,  4M104DD02 ,  4M104DD04 ,  4M104DD16 ,  4M104DD26 ,  4M104DD62 ,  4M104DD64 ,  4M104DD65 ,  4M104DD71 ,  4M104DD78 ,  4M104DD80 ,  4M104DD84 ,  4M104DD91 ,  4M104EE03 ,  4M104EE09 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104FF07 ,  4M104FF08 ,  4M104FF13 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104GG08 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH14 ,  4M104HH20 ,  5F033GG03 ,  5F033GG04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033HH25 ,  5F033HH27 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033HH38 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ09 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ14 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ20 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ38 ,  5F033KK08 ,  5F033KK18 ,  5F033KK25 ,  5F033KK27 ,  5F033KK33 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033MM18 ,  5F033MM19 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ01 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ26 ,  5F033QQ27 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ34 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ62 ,  5F033QQ65 ,  5F033QQ70 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ82 ,  5F033QQ83 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033TT08 ,  5F033VV06 ,  5F033VV15 ,  5F033WW01 ,  5F033XX03 ,  5F033XX08 ,  5F033XX34 ,  5F110AA03 ,  5F110AA16 ,  5F110BB02 ,  5F110BB03 ,  5F110BB04 ,  5F110BB06 ,  5F110BB07 ,  5F110BB08 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE22 ,  5F110EE23 ,  5F110EE28 ,  5F110EE32 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG32 ,  5F110GG37 ,  5F110GG44 ,  5F110GG45 ,  5F110GG52 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ06 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ14 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK05 ,  5F110HK33 ,  5F110HK40 ,  5F110HL01 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL12 ,  5F110HM13 ,  5F110HM14 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (4件)
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