特許
J-GLOBAL ID：200903069894339190
半導体装置およびその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-307443
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135475
出願日： 1996年10月31日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：
【要約】【目的】 薄膜トランジスタにおいて、ソース/ドレイン領域へのコンタクトの方法を改良することにより、配線抵抗を減らす。【構成】 ソース/ドレイン領域に密着してシリサイド層を形成した後に残った金属層を選択的に残存させてコンタクトパッドや配線に用いる。
請求項（抜粋）：
ゲイト電極と、前記ゲイト電極よりも幅の広いゲイト絶縁膜と、活性層中に形成されたN型もしくはP型の1対の不純物領域と、前記ゲイト絶縁膜に対して自己整合的に形成された1対のシリサイド層と、前記シリサイド層に密着して設けられた金属層と、ゲイト電極より上層に設けられた上層配線層と、を有し、前記シリサイド層は、前記金属層を構成する金属元素と珪素を主成分とし、前記上層配線層は、前記金属層と少なくとも1つのコンタクトを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/786
, H01L 29/78
, H01L 21/336
H01L 29/78 616 S
, H01L 29/78 301 P
, H01L 29/78 616 K
