半導体装置及びその製造方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (10件)：前田弘 , 小山廣毅 , 竹内宏 , 嶋田高久 , 竹内祐二 , 今江克実 , 藤田篤史 , 二宮克也 , 原田智雄 , 井関勝守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-191169
公開番号（公開出願番号）：特開2005-039257
出願日： 2004年06月29日
公開日（公表日）： 2005年02月10日
要約：

【課題】炭化珪素基板を用いつつ、チャネル層の上面が平滑化されたキャリアの移動度の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】二重注入型MISFETは、SiC基板1上に設けられた高抵抗SiC層2と、pウェル領域3と、p+ コンタクト領域4と、ソース領域6と、ソース領域6,pウェル領域3及び高抵抗SiC層2に跨って形成されたチャネル層5xと、ゲート絶縁膜7と、ゲート電極10と、ソース電極8と、ドレイン電極9とを備えている。高抵抗SiC層2とpウェル領域3とソース領域6の表面は、カーボン膜を堆積した状態での不純物の活性化アニールやMCPによって平滑な状態にあり、その後エピタキシャル成長されたチャネル層5xの表面はさらに平滑化されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板の主面上に設けられた炭化珪素層と、上記炭化珪素層の一部に設けられ、第1導電型不純物を含む高濃度不純物拡散領域と、上記高濃度不純物拡散領域の少なくとも一部の上と上記炭化珪素層の上とに、エピタキシャル成長によって形成されたエピタキシャル成長層と、上記エピタキシャル成長層の一部に設けられ、上面が上記炭化珪素層の上面よりも平滑化され上記高濃度不純物拡散領域に跨るチャネル層とを備えている半導体装置。

IPC (7件)：

H01L29/78 , H01L21/205 , H01L21/265 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/338 , H01L29/812

FI (8件)：

H01L29/78 652E , H01L29/78 652T , H01L21/205 , H01L21/28 301B , H01L21/265 Z , H01L29/78 658E , H01L29/78 301B , H01L29/80 B

Fターム (58件)：

4M104AA03 , 4M104BB02 , 4M104BB05 , 4M104BB21 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104CC05 , 4M104DD68 , 4M104DD78 , 4M104DD84 , 4M104FF29 , 4M104FF31 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG12 , 4M104GG14 , 5F045AA03 , 5F045AB06 , 5F045AC01 , 5F045AC07 , 5F045AF02 , 5F045BB01 , 5F045HA02 , 5F045HA06 , 5F102FA01 , 5F102FA02 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GL02 , 5F102GL08 , 5F102GR01 , 5F102GT03 , 5F102HC01 , 5F102HC07 , 5F102HC19 , 5F102HC21 , 5F140AB08 , 5F140AC23 , 5F140BA02 , 5F140BA16 , 5F140BB15 , 5F140BB18 , 5F140BC12 , 5F140BC17 , 5F140BC19 , 5F140BF01 , 5F140BH21 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BK13 , 5F140BK19 , 5F140BK21 , 5F140BK25 , 5F140CA03 , 5F140CC03 , 5F140CE02

引用特許：

出願人引用 (1件)

炭化珪素半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-326936 出願人：株式会社デンソー

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