特許
J-GLOBAL ID：200903038594190354
誘電体材料及びその製造方法並びにそれを用いた回路基板及び多層回路基板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小島 清路
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-184567
公開番号（公開出願番号）：特開平10-152370
出願日： 1997年06月24日
公開日（公表日）： 1998年06月09日
要約：
【要約】【課題】 共振周波数の温度係数の絶対値が小さく、無負荷品質係数が大きい誘電体材料及びその製造方法並びにそれを用いた多層回路基板等を提供する。【解決手段】 ガラスフリットとストロンチウム化合物との混合物99.5〜95.5重量%と、TiO2 0.5〜4.5重量%とを混合し、成形した後、930°C程度の比較的低温で焼成し、吸水率が0.1%未満の緻密度の高い誘電体材料を得る。この誘電体材料は主結晶相としてストロンチウムアノーサイト(SrAl2 Si2 O8 )を含むガラスセラミックスであり、TiO2 は焼成後も変化せずにそのまま残る。また、その共振周波数の温度係数の絶対値は20ppm/°C以下、特に10ppm/°C以下、更には5ppm/°C以下であり、無負荷品質係数と共振周波数との積は1800GHz以上、特に2500GHz以上であって、優れた誘電特性を有する。
請求項（抜粋）：
ストロンチウムアノーサイト(SrAl2 Si2 O8 )を主結晶相とするガラスセラミックスからなることを特徴とする誘電体材料。
IPC (4件)：
C04B 35/18
, H01B 3/12 326
, H05K 1/03 610
, H05K 3/46
C04B 35/18 Z
, H01B 3/12 326
, H05K 1/03 610 D
, H05K 3/46 T
