特許
J-GLOBAL ID:200903038597221340
半導体試験装置のハンドラ
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-143252
公開番号(公開出願番号):特開2000-329821
出願日: 1999年05月24日
公開日(公表日): 2000年11月30日
要約:
【要約】【課題】 本発明は、自己発熱の大きい被試験デバイスを、シンプルな構造で短時間で温度降下させ、また温度上昇も早くして、自己発熱に影響されにくい温度制御ができる半導体試験装置のハンドラを提供する。【解決手段】 自己発熱する被試験デバイスを温度制御して高温試験する半導体試験装置のハンドラにおいて、 被試験デバイスに接触して被試験デバイスを加熱する加熱ブロックと、該加熱ブロックの内部で上下移動する浮動加熱ブロックとを具備して、被試験デバイスの温度を上昇させるときは、該浮動加熱ブロックと前記加熱ブロックとが被試験デバイスと接触して加熱し、被試験デバイスの温度を降下させるときは圧縮エアを流入させて該浮動加熱ブロックが浮き上がることを特徴とした解決手段。
請求項(抜粋):
自己発熱する被試験デバイスを温度制御して高温試験する半導体試験装置のハンドラにおいて、被試験デバイスに接触して被試験デバイスを加熱する加熱ブロックと、該加熱ブロックの内部で上下移動する浮動加熱ブロックと、を具備して、被試験デバイスの温度を上昇させるときは、該浮動加熱ブロックと前記加熱ブロックとが被試験デバイスと接触して加熱し、被試験デバイスの温度を降下させるときは圧縮エアを流入させて該浮動加熱ブロックが浮き上がることを特徴とした半導体試験装置のハンドラ。
IPC (2件):
FI (3件):
G01R 31/26 Z
, G01R 31/26 H
, H01L 21/66 H
Fターム (12件):
2G003AA07
, 2G003AB16
, 2G003AC01
, 2G003AD03
, 2G003AD04
, 2G003AD06
, 2G003AG01
, 2G003AG11
, 2G003AH08
, 4M106AA04
, 4M106CA60
, 4M106DG30
引用特許:
審査官引用 (2件)
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ICの測定機構
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-215996
出願人:安藤電気株式会社
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特開昭61-236134
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