特許

J-GLOBAL ID：200903038604958825

ナノインプリント方法及びナノインプリント装置

発明者： 村口 功 ,  新毛 勝秀 ,  仲間 健一 ,  前田 不二雄
出願人/特許権者： 日本板硝子株式会社 ,  株式会社ミツトヨ
代理人 (2件)： 恩田 博宣 ,  恩田 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-226786
公開番号（公開出願番号）：特開2008-049544
出願日： 2006年08月23日
公開日（公表日）： 2008年03月06日
要約：

【課題】熱膨張に起因する型の転写パターンと成型品に転写されるパターンとの間で生じる微小なずれを抑制するナノインプリント方法及びナノインプリント装置を提供する。【解決手段】ナノインプリント装置11は、第1加熱ヒータH1を備えた定置ステージ13に第1緩衝シート15に設けるとともに、第2加熱ヒータH2を備えた可動ステージ21に第2緩衝シート26を設ける。第1緩衝シート15を介して被成型品16を定置ステージ13に保持するとともに、第2緩衝シート26を介して型27を可動ステージ21に保持して、被成型品16と型27を定置ステージ13と可動ステージ21にて挟み込む。型27を被成型品16に形成された未硬化のレジスト膜17に押し付けている状態で、レジスト膜17を硬化させるべく、第1及び第2加熱ヒータH1,H2で加熱する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基材に塗布した成型材料に、型に形成した転写パターンを押さえ付けて、その成型材料に前記型に形成した転写パターンを転写させるナノインプリント方法において、 前記基材及び前記型を、それぞれ熱膨張を吸収する保持手段にて支持した状態で、予め定めた同じ所定の温度に加熱した後、その所定の温度を保持しながら、基材に塗布した成型材料に型に形成した転写パターンを押さえ付けて未硬化の成型材料を熱硬化させるようにしたことを特徴とするナノインプリント方法。

IPC (5件)：

B29C 59/02 ,  B81C 5/00 ,  G02B 5/18 ,  B29C 43/54 ,  B29C 43/52

FI (5件)：

B29C59/02 B ,  B81C5/00 ,  G02B5/18 ,  B29C43/54 ,  B29C43/52

Fターム (30件)：

2H049AA03 ,  2H049AA40 ,  2H049AA55 ,  4F204AA36 ,  4F204AC05 ,  4F204AF01 ,  4F204AG05 ,  4F204AH33 ,  4F204AH73 ,  4F204AR06 ,  4F204AR07 ,  4F204EA03 ,  4F204EB01 ,  4F204EK17 ,  4F204EK24 ,  4F204EK26 ,  4F209AA36 ,  4F209AC05 ,  4F209AF01 ,  4F209AG05 ,  4F209AH33 ,  4F209AH73 ,  4F209AR06 ,  4F209AR07 ,  4F209PA02 ,  4F209PB01 ,  4F209PC01 ,  4F209PC05 ,  4F209PN09 ,  4F209PN13

引用特許：

出願人引用 (2件)

• パタ-ン形成方法及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-370629   出願人：富士通株式会社
• デバイス製作のためのリソグラフィ・プロセス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-224839   出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド