特許
J-GLOBAL ID：200903038609740925
半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-067829
公開番号（公開出願番号）：特開平10-241386
出願日： 1997年03月21日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：
【要約】【課題】 拡散ビット線に多数のメモリセルが接続されていてもセンス感度およびセンス速度を損なうことがない。【解決手段】 昇圧回路40は、選択回路42からの昇圧信号φbst0によって、入力ノード24の電圧をセンス感度ΔVだけ昇圧して、メモリセルアレイ30の選択メモリセル52に接続された入力ノード24の電圧とリファレンス側の入力ノード25の電圧とにΔVの電位差を持たせる。センスアンプ21は、入力ノード24と入力ノード25との電位差ΔVを電圧Vccまで増幅する。こうして、入力ノード24のプリチャージ電圧Vpreをリファレンス電圧まで落とすことなく、充分なセンス感度を得ることができる。したがって、拡散ビット線に多数のメモリセルが接続されているためにビット線抵抗が大きくても、充分なセンス感度を高速に確保することができる。
請求項（抜粋）：
複数の不揮発性メモリセル,ビット線およびワード線を有するメモリセルアレイと、上記メモリセルアレイのワード線を選択する行デコーダ回路と、上記メモリセルアレイのビット線を選択する列デコーダ回路と、上記列デコーダ回路によって選択されたビット線に接続されるデータ線と、第1入力端子と上記データ線に接続される第2入力端子とを有し、上記第1入力端子と第2入力端子との電圧差を増幅するセンスアンプと、上記第1,第2入力端子を所定電圧にプリチャージするプリチャージ回路と、上記データ線と第2入力端子とを断続するスイッチング回路と、上記第2入力端子の電圧を所定電圧だけ昇圧あるいは降圧して、上記センスアンプのセンスレベルを設定する電圧設定回路を備えたことを特徴とする半導体記憶装置。
引用特許：
前のページに戻る
