特許

J-GLOBAL ID：200903038611480779

発光装置とその形成方法

発明者： 豊田 達憲 ,  永峰 和浩
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-053511
公開番号（公開出願番号）：特開2002-118293
出願日： 2001年02月28日
公開日（公表日）： 2002年04月19日
要約：

【要約】【課題】 生産性が良好で且つ光学特性の優れた信頼性の高い変換型発光装置及びその形成方法を提供する。【解決手段】 基板上に半導体層を有する発光素子と、該発光素子からの光の一部を吸収してそれよりも長波長の光が発光可能な蛍光物質と、該蛍光物質を有し前記発光素子の表面を包囲する透光性モールド部材とを有する発光装置であって、前記発光素子の電極上に少なくとも1つのバンプを有し、該バンプの上面は前記透光性モールド部材の上面と略同一平面である。

請求項（抜粋）：

基板上に半導体層を有する発光素子と、該発光素子からの光の一部を吸収してそれよりも長波長の光が発光可能な蛍光物質と、該蛍光物質を有し前記発光素子の表面を包囲する透光性モールド部材とを有する発光装置であって、前記発光素子の電極上に少なくとも1つのバンプを有し、該バンプの上面は前記透光性モールド部材の上面と略同一平面である発光装置。

IPC (4件)：

H01L 33/00 ,  C09K 11/64 CQE ,  C09K 11/80 CPM ,  H01L 21/60

FI (4件)：

H01L 33/00 N ,  C09K 11/64 CQE ,  C09K 11/80 CPM ,  H01L 21/92 602 Q

Fターム (27件)：

4H001CA07 ,  4H001XA07 ,  4H001XA08 ,  4H001XA13 ,  4H001XA14 ,  4H001XA20 ,  4H001XA39 ,  4H001YA24 ,  4H001YA58 ,  4H001YA63 ,  5F041AA14 ,  5F041AA41 ,  5F041AA47 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA76 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98 ,  5F041DA43 ,  5F041DA44 ,  5F041DA45 ,  5F041DB09 ,  5F041EE23 ,  5F041EE25

引用特許：

出願人引用 (4件)

• III族窒化物系化合物半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-365317   出願人：豊田合成株式会社
• 波長変換する注型材料、その使用方法及びその製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平10-514190   出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
• 半導体発光素子および発光ランプ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-069421   出願人：三洋電機株式会社
• 半導体装置用スペーサー及びその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-294629   出願人：株式会社シチズン電子

審査官引用 (2件)

• III族窒化物系化合物半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-365317   出願人：豊田合成株式会社
• 波長変換する注型材料、その使用方法及びその製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平10-514190   出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト