特許
J-GLOBAL ID：200903027349333741
III族窒化物系化合物半導体素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-365317
公開番号（公開出願番号）：特開2000-244012
出願日： 1999年12月22日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：
【要約】【課題】生産性を向上させた、III族窒化物系化合物半導体素子の樹脂封止工程を提供すること。【解決手段】フリップチップ型又はワイヤボンディング型のIII族窒化物系化合物半導体素子を、樹脂封止した後、個々の素子に分割する。III族窒化物系化合物半導体は安定性、耐久性が高く、電極部分のみ樹脂封止すれば素子として使用可能であるので本発明が適用できる。個別素子ではなく、ウエハの状態でウエハ全体を樹脂封止するので、封止工程や検査工程が簡便となる。
請求項（抜粋）：
基板上にIII族窒化物系化合物半導体から成る層が積層された半導体素子の製造方法において、個別の素子に分割する前に、電極形成側に封止樹脂を塗布し、前記封止樹脂を硬化させた後、個別の素子に分割することを特徴とする III族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。
FI (2件)：
H01L 33/00 C
, H01L 33/00 N
