特許
J-GLOBAL ID:200903038612072305

収束イオンビームによる精密断面加工を用いた深さ方向元素分布分析方法及びその装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴江 武彦 (外5名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-357438
公開番号(公開出願番号):特開2001-174421
出願日: 1999年12月16日
公開日(公表日): 2001年06月29日
要約:
【要約】【課題】従来の深さ方向分析方法では、深さ方向分解能は分析深さに依存して低下するという問題点があり、また凹凸のある表面や微粒子表面などを分析対象とする場合スパッタ収率が変化するため正確な深さ方向分析が困難であり、ノックオンミキシングやスパッタ再付着などの影響により深さ方向分解能が低下し、また、分析には最低でも数百μm2 程度の極めて広い分析領域が必要となるため、極微小領域での元素分布解析法として用いるには不都合があった。【解決手段】収束イオンビーム(2’)により試料表面を精密断面加工する工程と、前記精密断面加工により得られた断面(17)から発生する微粒子(3)を測定する工程と、前記測定によって得た値を前記収束イオンビームの深さ方向走査位置の関数として処理する工程と、を具備することを特徴とする、試料の深さ方向元素分布分析を行う方法。
請求項(抜粋):
収束イオンビーム(2')により試料を精密断面加工する工程と、前記精密断面加工により得られた断面(17)から発生する微粒子(3)を測定する工程と、前記測定によって得た値を前記収束イオンビームの深さ方向走査位置の関数として処理する工程と、を具備することを特徴とする、試料の深さ方向元素分布分析を行う方法。
IPC (3件):
G01N 23/225 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/66
FI (3件):
G01N 23/225 ,  H01L 21/66 N ,  H01L 21/302 Z
Fターム (48件):
2G001AA03 ,  2G001AA05 ,  2G001BA07 ,  2G001BA08 ,  2G001BA09 ,  2G001BA15 ,  2G001CA03 ,  2G001EA04 ,  2G001FA16 ,  2G001GA01 ,  2G001GA06 ,  2G001GA08 ,  2G001GA11 ,  2G001GA13 ,  2G001HA01 ,  2G001JA02 ,  2G001JA08 ,  2G001KA01 ,  2G001LA11 ,  2G001MA05 ,  2G001PA12 ,  2G001RA01 ,  2G001RA03 ,  2G001RA04 ,  4M106AA10 ,  4M106AA11 ,  4M106AA13 ,  4M106BA03 ,  4M106CB21 ,  4M106DH01 ,  4M106DH11 ,  4M106DH24 ,  4M106DH25 ,  4M106DH38 ,  4M106DH55 ,  4M106DJ04 ,  4M106DJ05 ,  5F004AA16 ,  5F004BA17 ,  5F004BD07 ,  5F004DA00 ,  5F004DB01 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004DB08 ,  5F004DB12 ,  5F004DB19 ,  5F004EA39
引用特許:
出願人引用 (2件)

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