特許
J-GLOBAL ID：200903038612392962
半導体レーザおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-041921
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242577
出願日： 1997年02月26日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：
【要約】【課題】 しきい値の小さい半導体レーザの製造方法を提供する。【解決手段】 p-InP基板101上に絶縁膜マスク102を形成する。p-InP基板101上に、p-InGaAsP光導波路層104p、厚さ6nmのInGaAsP井戸層103wと厚さ10nmのInGaAsP障壁層103bからなる多重量子井戸活性層103、n-InGaAsP光導波路層104n、さらに第1のn-InPクラッド層106を成長する。この後、第1のクラッド層とは異なる結晶成長条件により、絶縁膜マスク102上にn型InPクラッド層107が形成する。これにより、活性領域105がこのInPクラッド層107によって埋め込まれるため、活性領域105内への光の閉じ込めと電子の閉じ込めが効率よく行われる。活性層103は、幅方向にも、厚み方向にも完全に絶縁膜102の内部に形成しているので、電流は絶縁膜102でブロックされるために、メサ型の埋め込み型レーザと比較しても、リーク電流がなく、しきい値の小さいレーザが得られる。
請求項（抜粋）：
基板と、基板上に形成した活性層と、前記基板上に形成し、開口部を有する絶縁膜とを備え、前記活性層は、前記絶縁膜の間に形成されている半導体レーザ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
審査官引用 (7件)
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半導体光素子およびその製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平7-072949
出願人：株式会社日立製作所
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特開平4-111487
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特開平3-227086
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