特許
J-GLOBAL ID：200903038620870881
有機EL素子のバリア層の形成方法および有機EL素子の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石川 泰男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-033200
公開番号（公開出願番号）：特開2004-247079
出願日： 2003年02月12日
公開日（公表日）： 2004年09月02日
要約：
【課題】良好なバリア性と膜応力を有する有機EL素子のバリア層の形成方法およびそうした有機EL素子の製造方法を提供する。【解決手段】少なくとも基材2、バリア層1、第1電極3、有機発光層4及び第2電極5を有する有機EL素子30におけるバリア層1を、複数の薄層を積層し、この複数の薄層は、各薄層が異なる圧力条件下で形成する、有機EL素子のバリア層の形成方法により、上記課題を解決する。バリア層を構成する各薄層は、真空状態でスパッタリングにより形成されることが好ましい。また、バリア層1は、下側の薄層を形成した圧力条件よりも高い圧力条件下で上側の薄層を形成することが好ましい。各薄層は、SiまたはAlの、酸化物、窒化物または酸化窒化物で形成されることが好ましく、バリア層1の直下にオーバーコート層6が設けられていることが好ましい。また、そうしたバリア層1の形成方法を用いた有機EL素子の製造方法により、上記課題を解決する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
少なくとも基材、バリア層、第1電極、有機発光層及び第2電極を有する有機EL素子におけるバリア層の形成方法であって、
前記バリア層は複数の薄層を積層してなり、
前記複数の薄層は、各薄層が異なる圧力条件下で形成されることを特徴とする有機EL素子のバリア層の形成方法。
IPC (3件)：
H05B33/10
, H05B33/02
, H05B33/14
H05B33/10
, H05B33/02
, H05B33/14 A
3K007AB11
, 3K007AB12
, 3K007AB13
, 3K007BB00
, 3K007CA00
, 3K007DB03
, 3K007FA01
, 3K007FA02
