特許
J-GLOBAL ID：200903038622107123

炭化ケイ素半導体デバイスのためのエッジ終端構造及びその製造方法

発明者：
リュウ セイ-ヒュン

リュウ セイ-ヒュン について

, 
アナント ケー.アガルワル

アナント ケー.アガルワル について


出願人/特許権者：
クリー インコーポレイテッド

クリー インコーポレイテッド について


代理人 (2件)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-500992
公開番号（公開出願番号）：特表2006-516815
出願日： 2004年01月07日
公開日（公表日）： 2006年07月06日
要約：
炭化ケイ素デバイスのためのエッジ終端構造は、炭化ケイ素ベースの半導体接合に近接し、この半導体接合から間隔をおいて配置された、炭化ケイ素層中の複数の同心円のフローティングガードリングを有する。酸化膜などの絶縁層が、これらのフローティングガードリング上に設けられ、炭化ケイ素表面電荷補償領域が、これらのフローティングガードリング間に設けられ、この絶縁層に隣接している。かかるエッジ終端構造の製造方法もまた提供される。
請求項（抜粋）：
炭化ケイ素半導体デバイスのためのエッジ終端構造であって、 炭化ケイ素ベースの半導体接合を少なくとも部分的に取り囲み、炭化ケイ素層中において複数の間隔もって配置された同心円のフローティングガードリングと、 該フローティングガードリング上に設けられた絶縁層と、 前記フローティングガードリング間で、前記絶縁層に隣接して設けられた炭化ケイ素表面電荷補償領域と を備えていることを特徴とするエッジ終端構造。
IPC (4件)：
H01L 29/06 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872
FI (4件)：
H01L29/06 301G ,  H01L29/91 D ,  H01L29/48 E ,  H01L29/48 D
Fターム (6件)：
4M104AA03 ,  4M104FF35 ,  4M104GG02 ,  4M104GG03 ,  4M104GG07 ,  4M104HH18
引用特許：
出願人引用 (5件)
  • 国際公開第97/08754号パンフレット
  • 高耐圧半導体装置およびその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-213523   出願人：三菱電機株式会社
  • 特開平3-147331
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審査官引用 (10件)
  • 高耐圧半導体装置およびその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-213523   出願人：三菱電機株式会社
  • 特開平3-147331
  • 特開平3-147331
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引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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