特許
J-GLOBAL ID：200903038650774305

カスコード接続回路及びその集積回路

発明者：
井上 晃

井上 晃 について

, 
後藤 清毅

後藤 清毅 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (2件)： 河宮 治 ,  石野 正弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-272406
公開番号（公開出願番号）：特開2005-033650
出願日： 2003年07月09日
公開日（公表日）： 2005年02月03日
要約：
【課題】 出力電力が大きく、かつ、効率の良いカスコード接続回路を提供する。【解決手段】 本発明によるカスコード接続回路は、ソース端子(22)が接地された第1の電界効果型トランジスタ(FET)(12)と、ソース端子が第1のFET(12)のドレイン端子に接続された第2のFET(14)と、第1のFET(12)のソース端子(22)と、第2のFET(14)のゲート端子(28)との間に接続されたコンデンサ(16)と、第1のFET(12)のソース端子(22)と、第2のFET(14)のゲート端子(28)との間に接続された第1の抵抗(18)と、第2のFET(14)のゲート端子(28)と、第2のFET(14)のドレイン端子(24)との間に接続された第2の抵抗(20)とを備える。そして、コンデンサ(16)の容量値は、第2のFET(14)のゲート-ソース間容量の値の0.01倍乃至10倍である。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
2つの電界効果型トランジスタ(以下、「FET」という。)がカスコード接続されたカスコード接続回路であって、 ソース端子が接地された第1のFETと、 ソース端子が前記第1のFETのドレイン端子に接続された第2のFETと、 前記第1のFETのソース端子と、前記第2のFETのゲート端子との間に接続された第1のコンデンサと を備え、 前記第1のコンデンサの容量値が、前記第2のFETのゲート-ソース間容量の値の0.01倍乃至10倍であることを特徴とする回路。
IPC (5件)：
H03F1/22 ,  H01L21/06 ,  H01L21/8232 ,  H01L27/095 ,  H01L29/80
FI (4件)：
H03F1/22 ,  H01L29/80 E ,  H01L29/80 W ,  H01L27/06 F
Fターム (26件)：
5F102FA01 ,  5F102FA07 ,  5F102GA01 ,  5F102GA16 ,  5F102GA17 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GC05 ,  5F102GD01 ,  5F102GS09 ,  5F102GV01 ,  5J500AA01 ,  5J500AA13 ,  5J500AC33 ,  5J500AC36 ,  5J500AF12 ,  5J500AF20 ,  5J500AH09 ,  5J500AH25 ,  5J500AH29 ,  5J500AK05 ,  5J500AK29 ,  5J500AM17 ,  5J500AM21 ,  5J500AQ04 ,  5J500AT01
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 増幅回路
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-138542   出願人：シャープ株式会社
  • 特許第3169775号
審査官引用 (3件)
  • 特開昭55-047711
  • 特開平1-254014
  • カスコード増幅器
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-288156   出願人：レイセオン・カンパニー

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