特許

J-GLOBAL ID：200903038706881452

半導体発光素子

発明者： 岡川 広明 ,  橋本 孝行 ,  宮下 啓二 ,  山田 智雄 ,  只友 一行
出願人/特許権者： 三菱電線工業株式会社
代理人 (1件)： 高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-030819
公開番号（公開出願番号）：特開平8-228022
出願日： 1995年02月20日
公開日（公表日）： 1996年09月03日
要約：

【要約】【目的】 発光部の材料としてInGaAlP系の化合物半導体を用いる発光素子において、電流拡散層の構成および材料を特定し、より発光効率が高く、優れた素子寿命の発光素子を提供すること。【構成】 下部電極4、n型の半導体基板1、InGaAlP系の化合物半導体からなる発光部2、電流拡散層3、上部電極5を有する発光素子であって、当該電流拡散層が、その下部3aのキャリア濃度が上部3bのキャリア濃度よりも低いものであり、かつ、少なくとも上部3bがGaPからなるものである。電流拡散層のキャリア濃度は、層厚方向に段階的または連続的に変化するものでよく、電流拡散層の材料は、全体をGaP、または、上層をGaP、下層をAlGaAsとする等が挙げられる。

請求項（抜粋）：

一方の面に下部電極を有するn型の半導体基板の他方の面側に、該基板側から順に、InGaAlP系の化合物半導体材料からなるpn接合部を有する発光部と、p型の電流拡散層と、上部電極とを有する半導体発光素子であって、電流拡散層のキャリア濃度が、発光部側が上部電極側よりも低いものであり、かつ、少なくとも電流拡散層の上部電極側が、GaPからなるものであることを特徴とする半導体発光素子。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-315479
  
• 発光ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-175768   出願人：昭和電工株式会社
• 特開平4-315479