特許

J-GLOBAL ID：200903038708312625

多層配線半導体装置およびその製造方法

発明者： 後藤 啓郎
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-041143
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232429
出願日： 1996年02月28日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：

【要約】【課題】歩留まりよくリソグラフィー工程を増やすことなく形成できる微細化に適した多層配線構造を提供すること。【解決手段】第1の層間絶縁膜2にテーパ状の第1のビアホール3-1b,3-2bを開孔し、それを第1のタングステンプラグ4-1b,4-2bで充填する。全面にアルミニウム系合金膜でなる第1の配線層5を形成する。第2の層間絶縁膜6を形成し、第2のビアホール7-1b,7-2bを開孔し、それを第2のタングステンプラグ8-1b,8-2bで充填する。このとき、第1のタングステンプラグ4-1bと第2のタングステンプラグ8-1bは直接接続される。

請求項（抜粋）：

半導体基板上の第1の層間絶縁膜を貫通してそれぞれ下方の導電領域に達して設けられ深さ方向に細くなっている第1のビアホール及びこれに埋設された第1の導電性プラグ並びに第2のビアホール及びこれに埋設された第2の導電性プラグと、前記第1の層間絶縁膜の表面を選択的に被覆して前記第2の導電性プラグに接続された第1の配線層と、前記第1の配線層の設けられた第1の層間絶縁膜を被覆する第2の層間絶縁膜を貫通してそれぞれ前記第1のビアホールに達して設けられた第3のビアホール及びこれに埋設されるとともに前記第1の導電性プラグに接触する第3の導電性プラグ並びに前記第1の配線層に達して設けられた第4のビアホール及びこれに埋設された第4の導電性プラグと、前記第3の導電性プラグ及び第4の導電性プラグにそれぞれ接続されて前記第2の層間絶縁膜を選択的に被覆する第2の配線層及び第3の配線層とを含むことを特徴とする多層配線半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/3065

FI (3件)：

H01L 21/90 B ,  H01L 21/285 301 R ,  H01L 21/302 J

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭62-130542
  
• プラズマエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-128595   出願人：ソニー株式会社