特許

J-GLOBAL ID：200903038711363915

窒化方法、半導体装置およびその製造方法、基板処理装置、基板処理方法

発明者： 井下田 真信 ,  青山 真太郎 ,  神力 博 ,  高橋 毅
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-353995
公開番号（公開出願番号）：特開2004-006614
出願日： 2002年12月05日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：

【課題】非常に薄い、膜厚が0.4nmあるいはそれ以下の酸化膜、酸窒化膜を安定に、増膜を最小限に抑制して窒化できる窒化方法を提供する。【解決手段】高周波プラズマにより窒素ラジカルを形成し、形成された窒素ラジカルを、基板上に紫外光励起ラジカルにより形成された酸化膜あるいは酸窒化膜表面に沿って流れるガス流に乗せて供給し、膜表面を窒化する。【選択図】 図25

請求項（抜粋）：

高周波プラズマにより窒素ラジカルを形成する工程と、 酸素を含む絶縁膜表面に前記窒素ラジカルを供給し、前記絶縁膜表面を窒化する工程とを特徴とする、絶縁膜の窒化方法。

IPC (1件)：

H01L21/318

FI (1件)：

H01L21/318 C

Fターム (4件)：

5F058BA06 ,  5F058BC11 ,  5F058BF74 ,  5F058BJ04

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-093139   出願人：株式会社日立国際電気