半導体製造装置および半導体装置の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：和泉良彦 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-093139
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284340
出願日： 2000年03月30日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：

【要約】【課題】反応室等からの金属の放出とプラズマから供給される高エネルギー粒子による被処理基板への影響を抑制し、また、被処理基板を高温かつ均一に加熱可能な技術を提供する。【解決手段】ホットウォール加熱方式の反応室1の外側の近傍にプラズマ源2を設け、被処理基板4の表面を挟んで略対向する位置に、プラズマ源2により生成した活性種を供給する活性種供給口23と、排気口9Aとを設け、前記活性種を被処理基板4と略平行に流す。

請求項（抜粋）：

反応室の外側の近傍にプラズマ源を設け、被処理基板の表面を挟んで略対向する位置に、前記プラズマ源により生成した活性種を供給する活性種供給口と、排気口とを設け、前記活性種を前記被処理基板と略平行に流すことを特徴とする半導体製造装置。

IPC (6件)：

H01L 21/31 , C23C 16/507 , C23C 16/511 , C23C 16/56 , H01L 21/316 , H05H 1/46

FI (6件)：

H01L 21/31 C , C23C 16/507 , C23C 16/511 , C23C 16/56 , H01L 21/316 P , H05H 1/46 L

Fターム (30件)：

4K030AA11 , 4K030BA17 , 4K030BA42 , 4K030BB12 , 4K030CA04 , 4K030CA06 , 4K030CA12 , 4K030DA08 , 4K030FA10 , 5F045AA04 , 5F045AB31 , 5F045AB33 , 5F045AC07 , 5F045AC11 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045BB14 , 5F045BB16 , 5F045EE06 , 5F045EF20 , 5F045EH11 , 5F045EH18 , 5F045EK06 , 5F045HA22 , 5F058BA11 , 5F058BC03 , 5F058BF06 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BH16

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平4-373122
非単結晶シリコン膜の形成方法および形成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-329017 出願人：キヤノン株式会社
酸化タンタル薄膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-026480 出願人：松下電器産業株式会社

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