パターン形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-304524
公開番号（公開出願番号）：特開平9-218516
出願日： 1996年11月15日
公開日（公表日）： 1997年08月19日
要約：

【要約】【課題】プロセスの複雑化及びコストアップを招くことなく、化学増幅型レジストに含まれる酸発生剤から発生した酸の失活を抑制し、これにより、裾引き及び食い込みのないレジストパターンを形成する。【解決手段】半導体基板1の上にTiN膜2を堆積した後、メチルスルホン酸トリメチルシランを窒素ガスでバブリングすることにより得られたガス状の表面処理剤5をTiN膜2の上に供給する。TiN膜2上に、酸発生剤と酸の作用によりアルカリ可溶性となる化合物とを含む化学増幅型ポジレジストを塗布した後、プリベークを行なってレジスト膜8を形成した後、所望のマスク9を介してKrFエキシマレーザ10による露光を行なう。この露光によって、レジスト膜8に含まれる酸発生剤から酸が発生するが、メチルスルホン酸トリメチルシランから生じたスルホン酸7が孤立電子対を持つ窒素原子の塩基性としての働きを弱めるため、レジスト膜8の底部においても酸発生剤から発生した酸が失活しないので、裾引きのない優れた形状のレジストパターン11が得られる。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面に、シリル基を有すると共に酸を発生する表面処理剤を供給して、半導体基板の表面処理を行なう工程と、前記表面処理剤により表面処理された半導体基板上に化学増幅型レジストを塗布してレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜に対して所望のマスクを用いて露光を行なった後に現像を行なって、レジストパターンを形成する工程とを備えていることを特徴とするパターン形成方法。

IPC (5件)：

G03F 7/11 503 , G03F 7/004 503 , G03F 7/039 501 , G03F 7/075 501 , H01L 21/027

FI (5件)：

G03F 7/11 503 , G03F 7/004 503 , G03F 7/039 501 , G03F 7/075 501 , H01L 21/30 563

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平4-338959
特開昭61-248035
特開平2-005062

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