特許
J-GLOBAL ID：200903067266964075
パターン形成方法及び表面処理剤
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-180602
公開番号（公開出願番号）：特開平9-102458
出願日： 1996年07月10日
公開日（公表日）： 1997年04月15日
要約：
【要約】【課題】 レジストパターンの表面部に難溶化層が形成されないようにすることにより、優れたレジストパターン形状を実現する。【解決手段】 シリコンよりなる半導体基板1の表面に表面処理剤としてのイソプロペノキシトリメチルシランを供給して、半導体基板1の表面を疎水性にして、半導体基板1の密着性を向上させる。このようにすると、半導体基板1の表面のOH基のHがSi(CH3 )3 (トリメチルシリル基)と置換して(CH3 )2 CO(アセトン)が生成される。次に、半導体基板1の表面に化学増幅型レジストを塗布した後、所望のマスクを用いて露光し、その後、PEB及び現像を順次行なって、パターン形成を行なう。これにより、表面処理剤からアンモニアが発生しないので、表面難溶化層のない良好な形状のパターンを形成することができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面を、下記一般式(1)で示されるシラン化合物を含む表面処理剤により表面処理を行なう第1の工程と、表面処理された半導体基板の表面に化学増幅型レジストを塗布してレジスト膜を形成する第2の工程と、上記レジスト膜に対して所望のパターン形状を持つマスクを用いて露光した後、現像を行なってレジストパターンを形成する第3の工程とを備えていることを特徴とするパターン形成方法。R1 4-n Si(OR)n ......(1)(但し、式中nは1〜3の整数であり、Rは炭素数1〜6の置換飽和炭化水素基若しくは非置換飽和炭化水素基、炭素数1〜6の置換不飽和炭化水素基若しくは非置換不飽和炭化水素基、又は、炭素数1〜6の置換アルキルカルボニル基若しくは非置換アルキルカルボニル基であり、R1 は、同種又は異種であって、水素原子、炭素数1〜6の置換飽和炭化水素基若しくは非置換飽和炭化水素基、炭素数1〜6の置換不飽和炭化水素基若しくは非置換不飽和炭化水素基、又は、炭素数3〜6の脂環式飽和炭化水素基である。)
IPC (4件)：
H01L 21/027
, G03F 7/004 503
, G03F 7/022
, G03F 7/11 503
H01L 21/30 563
, G03F 7/004 503
, G03F 7/022
, G03F 7/11 503
