特許
J-GLOBAL ID:200903038756201746

光電変換素子及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-375441
公開番号(公開出願番号):特開2003-178817
出願日: 2001年12月10日
公開日(公表日): 2003年06月27日
要約:
【要約】【課題】 セルの内部抵抗を減少させ、高い形状因子の光電流-電圧特性を示す光電変換素子を提供する。【解決手段】 増感色素を担持した半導体層7が被着された透明電極5と、前記透明電極5の前記半導体層7と対峙する対電極15と、前記透明電極5の前記半導体層7と前記対電極15との間に配置された電解質層13とを有し、前記半導体層7の近傍に、前記透明電極5と接する集電体9を配置した光電変換素子1であって、前記集電体9と前記半導体層7との距離が1cm以内であり、前記集電体9の表面抵抗が前記透明電極5の表面抵抗より小さい光電変換素子とする。
請求項(抜粋):
増感色素を担持した半導体層が被着された第1の電極と、前記第1の電極の前記半導体層と対峙する第2の電極と、前記第1の電極の前記半導体層と前記第2の電極との間に配置された電解質層とを備えた光電変換素子であって、前記半導体層の近傍に、前記第1の電極と接する集電体を配置したことを特徴とする光電変換素子。
IPC (2件):
H01M 14/00 ,  H01L 31/04
FI (2件):
H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z
Fターム (17件):
5F051AA14 ,  5F051CB13 ,  5F051CB14 ,  5F051CB15 ,  5F051FA03 ,  5F051FA06 ,  5F051FA10 ,  5F051FA14 ,  5F051FA16 ,  5F051FA24 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB05 ,  5H032CC11 ,  5H032EE01 ,  5H032HH04 ,  5H032HH08
引用特許:
審査官引用 (3件)

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