特許
J-GLOBAL ID：200903038757660655

半導体装置

発明者：
江南 博司

江南 博司 について

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浜田 裕司

浜田 裕司 について

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中村 昭宏

中村 昭宏 について


出願人/特許権者：
東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社

東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-208687
公開番号（公開出願番号）：特開平11-040703
出願日： 1997年07月17日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：
【要約】【課題】 ヒートサイクル時の気泡や亀裂の生成が抑制されたシリコーンゲルにより半導体素子を封止もしくは充填している、優れた信頼性を有する半導体装置を提供する。【解決手段】 ケース内の半導体素子をシリコーンゲルにより封止もしくは充填している半導体装置であって、該シリコーンゲルの25°C、せん断周波数0.1Hzにおける損失弾性率が1.0×103〜1.0×105dyne/cm2であり、かつ、複素弾性率が1.0×106dyne/cm2以下であることを特徴とする半導体装置。
請求項（抜粋）：
ケース内の半導体素子をシリコーンゲルにより封止もしくは充填している半導体装置であって、該シリコーンゲルの25°C、せん断周波数0.1Hzにおける損失弾性率が1.0×103〜1.0×105dyne/cm2であり、かつ、複素弾性率が1.0×106dyne/cm2以下であることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 23/28 ,  C08G 77/04 ,  C08L 83/04 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31
FI (4件)：
H01L 23/28 K ,  C08G 77/04 ,  C08L 83/04 ,  H01L 23/30 R
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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