特許

J-GLOBAL ID：200903038796161585

ハロゲンドープシリコン酸化物膜の安定性向上のための方法及び装置

発明者： モハン クリシャン バーン ,  スッダーカ スーブラーマンヤム ,  アナンド ギュプタ ,  ヴィレン ヴィ. エス. ラナ
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-063547
公開番号（公開出願番号）：特開平9-330926
出願日： 1997年03月17日
公開日（公表日）： 1997年12月22日
要約：

【要約】【課題】 ハロゲンドープ酸化物膜の安定性を向上させて、膜における吸湿の及びアウトガスを低減するための方法。【解決手段】 プラズマ堆積操作中にヘリウムをプロセスチャンバ内に高い流量導入することにより、膜の安定性が向上する。ヘリウムの流量が高くなることによりプラズマ中に存在するヘリウムイオンの量が豊富にあるため、これが、このイオンのサイズの小ささ及び軽さとあいまって、成長中の膜にスパッタリング効果を有することとなり、膜の安定性に悪影響を与える緩く結合した原子を取り除く。

請求項（抜粋）：

リアクタチャンバ内で基板上に層を堆積するためのプロセスであって、珪素と、酸素と、ハロゲン元素と、不活性なガスとを含有するプロセスガスを、前記チャンバ内へ導入するステップと、第2の周波数信号と、前記第2の周波数信号よりも高い周波数を有する第1の周波数信号とを用いて、前記プロセスガスからプラズマを形成して、前記基板上に前記層を堆積するステップとを有し、前記不活性なガスが、少なくとも400°Cで前記堆積層を安定化するに十分な流量を選択して、チャンバ内に導入されるプロセス。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/31

FI (3件)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/316 P ,  H01L 21/31 C

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-045920   出願人：富士通株式会社
• 特開平4-346829