特許
J-GLOBAL ID：200903033337127232
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-045920
公開番号（公開出願番号）：特開平7-254592
出願日： 1994年03月16日
公開日（公表日）： 1995年10月03日
要約：
【要約】【目的】 多層配線における絶縁膜の形成方法に係り、誘電率の低い絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法に関し、大気中にあっても経時変化の少ないSiOF膜を堆積する半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 弗素を含有したシリコン酸化膜をプラズマ化学気相成長法により堆積する半導体装置の製造方法において、高周波電源16により発生した1MHz以上の高周波電界と、低周波電源18により発生した1MHz以下の低周波電界を用いて反応ガスを励起し、半導体ウェーハ20上にSiOF膜を堆積する。
請求項（抜粋）：
弗素を含有したシリコン酸化膜をプラズマ化学気相成長法により堆積する半導体装置の製造方法において、高周波電界と共に低周波電界を用いて反応ガスを励起することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/31
, C23C 16/40
, C23C 16/50
