特許

J-GLOBAL ID：200903038819224202

半導体装置及びその製造方法

発明者： 服部 司
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (10件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-192613
公開番号（公開出願番号）：特開2005-045226
出願日： 2004年06月30日
公開日（公表日）： 2005年02月17日
要約：

【課題】 銅配線の拡散防止膜である絶縁膜を用いて、アンチヒューズ構造を実現する。 【解決手段】 半導体装置は、半導体基板1上に形成された第1の金属よりなる第1の配線4と、第1の配線4の上に形成された第2の絶縁膜5と、該第2の絶縁膜8の上に形成された第2の金属よりなる第2の配線8とを備えている。第2の絶縁膜5は、第1の金属の拡散を防止するバリア性を有している。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された第1の金属よりなる第1の金属パターンと、 前記第1の金属パターンの上に形成された絶縁膜と、 前記絶縁膜の上に形成された第2の金属よりなる第2の金属パターンとを備え、 前記絶縁膜は、前記第1の金属の拡散を防止するバリア性を有していることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L21/82 ,  H01L21/3205

FI (2件)：

H01L21/82 F ,  H01L21/88 S

Fターム (34件)：

5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ14 ,  5F033KK11 ,  5F033KK13 ,  5F033KK14 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR01 ,  5F033RR06 ,  5F033VV11 ,  5F033VV17 ,  5F033XX28 ,  5F033XX33 ,  5F064AA08 ,  5F064EE22 ,  5F064EE27 ,  5F064EE32 ,  5F064FF04 ,  5F064FF28 ,  5F064FF32 ,  5F064FF45

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-242871   出願人：富士通株式会社