金属化合物膜の成膜方法およびそれに用いる成膜装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-196279
公開番号（公開出願番号）：特開平9-041133
出願日： 1995年08月01日
公開日（公表日）： 1997年02月10日
要約：

【要約】【目的】配線層の下地膜などとして用いられるバリア膜などとして用いて好適な膜の構造および製造方法を提供すること。また、膜質および/または配向性が異なるTiNなどの金属化合物膜を高精度で製造することができる成膜装置を提供すること。【構成】金属化合物膜が成膜される基板82と、金属化合物膜を構成するための金属成膜源83とを、成膜室内に離して配置し、基板近傍には、金属成膜源からの金属と反応する反応性ガスN2 を主成分とするガスを流し、金属成膜源83の近傍には、不活性ガスArを主成分とするガスを流し、金属成膜源からの金属を反応性ガスと反応させて基板上に金属化合物膜を堆積させる。金属成膜源83と基板82との間に位置する部分に排気口87を設け、この排気口87から、反応性ガスが金属成膜源83まで到達することを阻害する程度まで排気を行う。

請求項（抜粋）：

金属化合物膜が成膜される基板と、金属化合物膜を構成するための金属成膜源とを、成膜室内に離して配置する工程と、前記基板近傍には、金属成膜源からの金属と反応する反応性ガスを主成分とするガスを流し、前記金属成膜源の近傍には、不活性ガスを主成分とするガスを流し、金属成膜源からの金属を反応性ガスと反応させて前記基板上に金属化合物膜を堆積させる工程とを有する金属化合物膜の成膜方法。

IPC (4件)：

C23C 14/34 , C23C 16/30 , H01L 21/203 , H01L 21/285

FI (6件)：

C23C 14/34 M , C23C 14/34 G , C23C 14/34 S , C23C 16/30 , H01L 21/203 S , H01L 21/285 S

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開昭58-110673
反応性スパッタリング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-200772 出願人：松下電器産業株式会社
特開昭54-021974

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