特許
J-GLOBAL ID：200903038824332277
窒化物半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-328631
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150956
出願日： 1998年11月18日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：
【要約】【課題】本発明は、窒化物半導体を利用したより長波長が発光可能な発光素子に係わり、特に信頼性高く長波長を高輝度に発光可能な窒化物半導体発光素子を提供することにある。【解決手段】本発明は、p型窒化物半導体とn型窒化物半導体との間にInとGaとを含む窒化物半導体を包含する発光層を有する窒化物半導体発光素子であって、発光層の少なくとも一方にBxGa(1-x)N層を有する窒化物半導体発光素子である。
請求項（抜粋）：
p型窒化物半導体とn型窒化物半導体との間にInとGaとを含む窒化物半導体を包含する発光層を有する窒化物半導体発光素子であって、前記発光層の少なくとも一方にB<SB>x</SB>Ga<SB>(1-x)</SB>N層を有することを特徴とする窒化物半導体発光素子。但し、0<x≦1である。
Fターム (9件)：
5F041AA04
, 5F041AA11
, 5F041AA43
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA34
, 5F041CA46
, 5F041CA65
, 5F041CA66
