特許
J-GLOBAL ID:200903038835668471

情報記録媒体

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-115909
公開番号(公開出願番号):特開2004-216909
出願日: 2004年04月09日
公開日(公表日): 2004年08月05日
要約:
【課題】高密度な記録が可能で、繰り返し書き換え性能に優れ、結晶化感度の経時劣化が少ない情報記録媒体を提供する。 【解決手段】基板(11)上に少なくとも第1の保護層(2)、第1の界面層(3)、記録層(4)、第2の界面層(5)、第2の保護層(6)、光吸収補正層(7)、反射層(8)をこの順に備え、記録層(4)の組成が、一般式[(Ge,Sn)ASb2Te3+A]100-BMB(ただし、MはAg、Al、Cr、Mn及びNから選ばれる少なくとも1つの元素)で表され、前記一般式のA及びBは、0<A≦10、0<B≦20の範囲内にあり、第1の界面層(2)及び第2の界面層(5)がそれぞれ、窒化物、窒化酸化物及び炭化物から選ばれる少なくとも一つを主成分とする層であり、光吸収補正層(7)の屈折率が3.0以上6.0以下、消衰係数が1.0以上4.0以下である情報記録媒体とする。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
レーザ光を照射することによって、情報の記録、消去及び再生が可能であって、情報の記録及び消去が、非結晶相と結晶相との間の可逆的な相変化により行われる光記録媒体であって、 基板上に少なくとも第1の保護層、第1の界面層、記録層、第2の界面層、第2の保護層、光吸収補正層、反射層をこの順に備え、前記記録層の組成が、一般式 [(Ge,Sn)ASb2Te3+A]100-BMB (ただし、MはAg、Al、Cr、Mn及びNから選ばれる少なくとも1つの元素)で表され、前記一般式のA及びBは、0<A≦10、0<B≦20の範囲内にあり、前記第1の界面層及び前記第2の界面層がそれぞれ、窒化物、窒化酸化物及び炭化物から選ばれる少なくとも一つを主成分とする層であり、かつ、前記光吸収補正層の屈折率が3.0以上6.0以下、消衰係数が1.0以上4.0以下である情報記録媒体。
IPC (2件):
B41M5/26 ,  G11B7/24
FI (6件):
B41M5/26 X ,  G11B7/24 511 ,  G11B7/24 534J ,  G11B7/24 534K ,  G11B7/24 534M ,  G11B7/24 538A
Fターム (29件):
2H111EA03 ,  2H111EA12 ,  2H111EA23 ,  2H111EA32 ,  2H111EA41 ,  2H111FA01 ,  2H111FA12 ,  2H111FA14 ,  2H111FA23 ,  2H111FA25 ,  2H111FA28 ,  2H111FA37 ,  2H111FB05 ,  2H111FB06 ,  2H111FB09 ,  2H111FB12 ,  2H111FB21 ,  2H111FB29 ,  2H111FB30 ,  2H111GA03 ,  2H111GA07 ,  2H111GA08 ,  5D029JA01 ,  5D029JB18 ,  5D029LA13 ,  5D029LA14 ,  5D029LA16 ,  5D029LB01 ,  5D029MA04
引用特許:
出願人引用 (4件)
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