特許

J-GLOBAL ID：200903038857923165

高平坦度裏面梨地ウェーハおよびその製造方法ならびに該製造方法に用いられる表面研削裏面ラップ装置

発明者： 田中 恵一 ,  橋本 靖行 ,  加賀谷 修
出願人/特許権者： 三菱マテリアルシリコン株式会社
代理人 (1件)： 安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-279523
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102331
出願日： 1999年09月30日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】【課題】 表面が高平坦度で、裏面光沢度の選択性が大きい裏面梨地ウェーハ、その製法、および、その製法に用いる表面研削裏面ラップ装置を得る。【解決手段】 スライスダメージを低精度エッチングで粗めに除去する。ウェーハ表面を低ダメージ研削すると同時に、ウェーハ裏面を低ダメージでラッピングする。ウェーハ表面は高平坦度で表裏面の加工ダメージは減少する。その後の高精度酸エッチングではエッチング量が減少する。使用エッチング液の品種を適宜選択でき、高平坦度を維持しつつ、裏面光沢度をいかようにも選択できる。#1500〜#4000の研削砥石を用い、ダメージ深さ2μm程度でかつ表面をあらさずに研削する。裏面ラッピングは、#1500〜#4000のFO砥粒を含むアルカリ系ラッピング液を用いる。裏面を低ダメージで、かつ、高スループットでラップできる。なお、エッチ後の表面は鏡面研磨する。

請求項（抜粋）：

インゴットをスライスした半導体ウェーハに面取り加工を施し、半導体ウェーハの表面に低ダメージの研削を施すと同時に、半導体ウェーハの裏面に低ダメージのラッピングを施し、続いてこれらの表面研削および裏面ラップでの加工ダメージをエッチングにより除去した後、半導体ウェーハの表面に鏡面研磨を施した高平坦度裏面梨地ウェーハ。

IPC (7件)：

H01L 21/304 601 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 631 ,  B24B 7/04 ,  B24B 37/00 ,  H01L 21/02

FI (8件)：

H01L 21/304 601 Z ,  H01L 21/304 601 B ,  H01L 21/304 622 D ,  H01L 21/304 622 F ,  H01L 21/304 631 ,  B24B 7/04 A ,  B24B 37/00 Z ,  H01L 21/02 B

Fターム (6件)：

3C043BA09 ,  3C058AA07 ,  3C058AC04 ,  3C058CB01 ,  3C058DA02 ,  3C058DA17

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 鏡面仕上げされた薄板状ウェーハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-056174   出願人：株式会社スーパーシリコン研究所