セリウム・ドープのルテチウム・オルトシリケート・シンチレータを使用したコンピュータ断層イメージングのシステム及び方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松本研一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-379365
公開番号（公開出願番号）：特開2002-243862
出願日： 2001年12月13日
公開日（公表日）： 2002年08月28日
要約：

【要約】【課題】十分な光出力を備えながら減衰時間を短縮させているシンチレータを提供する。【解決手段】被検体(22)により減衰を受けた高周波エネルギー(16)は、その内部に複数のセリウム・ドープのルテチウム・オルトシリケート・シンチレータ(57)を有しているシンチレータ・アレイ(56)が受け取り、受け取った減衰エネルギーに基づいて光エネルギーが放出される。シンチレータ・アレイ(56)の各シンチレータ(57)は、ガラス形成系内でガラス形成用化合物を化合させることによって高い結晶相を有する透明なガラスセラミックになるように形成される。セリウム・ドープのルテチウム・オルトシリケートを透明なガラスセラミックになるように形成させるためにガラス形成用化合物を化合させることもできる。

請求項（抜粋）：

その内部にLu2SiO5を含む少なくとも1つのシンチレータ(57)を有するシンチレータ・アレイ(56)と、前記シンチレータ・アレイ(56)と光学的に結合したフォトダイオード・アレイ(52)を形成している少なくとも1つのフォトダイオード(60)と、フォトダイオード(60)の出力をデータ収集システム(32)に伝達することができる複数の電気相互接続と、を備える検出器(20)。

IPC (6件)：

G01T 1/202 , C09K 11/00 , C09K 11/79 CPR , C09K 11/79 CQD , C09K 11/80 , G01T 1/20

FI (7件)：

G01T 1/202 , C09K 11/00 E , C09K 11/79 CPR , C09K 11/79 CQD , C09K 11/80 , G01T 1/20 E , G01T 1/20 G

Fターム (15件)：

2G088EE02 , 2G088FF02 , 2G088GG10 , 2G088GG19 , 2G088JJ05 , 4H001CA08 , 4H001XA08 , 4H001XA13 , 4H001XA14 , 4H001XA19 , 4H001XA38 , 4H001XA56 , 4H001XA58 , 4H001XA64 , 4H001XA71

引用特許：

審査官引用 (28件)

特開平4-218588
特開平4-218588
特開平4-218588

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