特許
J-GLOBAL ID:200903038873226709
素子および該素子の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-263874
公開番号(公開出願番号):特開2004-103401
出願日: 2002年09月10日
公開日(公表日): 2004年04月02日
要約:
【課題】安定性が高く、欠陥の少ない、十分な密着性を有するp-n接合型の積層薄膜素子および該素子の製造方法を提供することをその目的とする。【解決手段】重合性官能基または反応性官能基を有する第1の化合物を含有する第1の層と、重合性官能基または反応性官能基を有する第2の化合物を含有する第2の層とを隣接して設けたことを特徴とする素子。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
重合性官能基または反応性官能基を有する第1の化合物を含有する第1の層と、重合性官能基または反応性官能基を有する第2の化合物を含有する第2の層とを隣接して設けたことを特徴とする素子。
IPC (3件):
H05B33/14
, H05B33/10
, H05B33/22
FI (4件):
H05B33/14 B
, H05B33/10
, H05B33/22 B
, H05B33/22 D
Fターム (3件):
3K007AB11
, 3K007DB03
, 3K007FA01
引用特許: