特許

J-GLOBAL ID：200903038884074331

強誘電体薄膜素子およびその製造方法、これを用いた薄膜コンデンサ並びに圧電アクチュエータ

発明者： 喜多 弘行
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-012256
公開番号（公開出願番号）：特開2003-298027
出願日： 2003年01月21日
公開日（公表日）： 2003年10月17日
要約：

【要約】【課題】 強誘電体薄膜素子の特性改善のため熱処理を行う場合に表面層の変質やクラックの発生等を防止する製造方法、およびこの強誘電体薄膜素子を用いた薄膜コンデンサおよび圧電アクチュエータを提供することを目的とする。【解決手段】 基板1上に第1の電極膜2を形成し、この第1の電極膜2上に強誘電体薄膜3を形成し、さらにこの強誘電体薄膜3上に無機保護膜4を形成する。その後、無機保護膜4と強誘電体薄膜3とを酸素含有雰囲気下で熱処理し、熱処理により強誘電体薄膜3成分の拡散と無機保護膜4の酸化により強誘電体薄膜3表面に形成された酸化拡散層6上に第2の電極膜8を形成する方法からなる。この方法により、強誘電体薄膜3表面の変質層やクラック等を発生させずに、強誘電特性を改善することができる。

請求項（抜粋）：

基板上に第1の電極膜を形成する工程と、前記第1の電極膜上に強誘電体薄膜を形成する工程と、前記強誘電体薄膜上に無機保護膜を形成する工程と、前記無機保護膜と前記強誘電体薄膜とを酸素含有雰囲気下で熱処理する工程と、熱処理されることにより、前記無機保護膜が酸化されるとともに前記強誘電体薄膜の構成成分の一部が拡散して生じた酸化拡散層上に第2の電極膜を形成する工程とを含むことを特徴とする強誘電体薄膜素子の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 27/105 ,  H01G 4/33 ,  H01L 41/083 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/22 ,  H01L 41/24

FI (7件)：

H01L 27/10 444 C ,  H01L 41/22 Z ,  H01L 41/08 S ,  H01L 41/22 A ,  H01L 41/18 101 Z ,  H01L 41/08 N ,  H01G 4/06 102

Fターム (19件)：

5E082AA01 ,  5E082BC33 ,  5E082FF05 ,  5E082FG03 ,  5E082FG32 ,  5E082FG42 ,  5F083FR01 ,  5F083GA27 ,  5F083HA08 ,  5F083HA10 ,  5F083JA02 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA19 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開平1-308927号公報
  
• 強誘電性メモリ回路の形成方法及び強誘電性コンデンサの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-035838   出願人：ラムトロン・インターナショナル・コーポレーション
• 薄膜コンデンサ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-158839   出願人：株式会社日立製作所