特許
J-GLOBAL ID:200903038895810811

低イオンビームを用いた金属酸化物等の薄層の改質処理方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 宇井 正一 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-312052
公開番号(公開出願番号):特開平6-298546
出願日: 1993年12月13日
公開日(公表日): 1994年10月25日
要約:
【要約】【目的】 透明な基材に適切な光学的特性を付与するために基材の上に堆積させた金属酸化物等の薄い層を処理する方法であって、層を改質し、硬く、ち密で、耐久性の高い層にするための処理方法を提供する。【構成】 透明な基材、特にはガラスの上に、特には磁場及び好ましくは酸素及び/又は窒素が存在する反応性雰囲気を利用して陰極スパッタリング技術によって堆積させた1種以上の金属酸化物、窒化物、酸窒化物、酸炭化物を含む層を、低イオンビームに暴露することによって層の化学的及び/又は物理的耐久性を向上させる。層は連続的に堆積させ、一定の堆積をさせた後にイオンビーム処理を行い、これを交互に繰り返す。又は堆積とイオンビーム処理を同時に行う。得られる層はち密で屈折率が高く、耐磨耗性、耐薬品性等に優れる。
請求項(抜粋):
透明な基材、特にガラスの上に、特には磁場及び好ましくは酸素及び/又は窒素が存在する反応性雰囲気を利用して陰極スパッタリング技術によって堆積させた堆積させた1種以上の金属酸化物、窒化物、酸窒化物、酸炭化物を含む層を、低イオンビームに暴露することによって層の化学的及び/又は物理的耐久性を向上させる層の処理方法。
IPC (3件):
C03C 23/00 ,  B01J 19/08 ,  C23C 14/06
引用特許:
出願人引用 (3件)
  • 特開昭59-074279
  • 成膜方法およびその装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-084409   出願人:株式会社東芝
  • 特開平3-010074
審査官引用 (4件)
  • 特開昭59-074279
  • 特開昭59-074279
  • 成膜方法およびその装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-084409   出願人:株式会社東芝
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