特許
J-GLOBAL ID：200903038905885025
単結晶材製造方法、シード基板、ダイおよび単結晶材製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-137781
公開番号（公開出願番号）：特開2001-322892
出願日： 2000年05月10日
公開日（公表日）： 2001年11月20日
要約：
【要約】【課題】 製品の歩留まりを向上すること。【解決手段】 エッジデファインド・フィルムフェッド・グロース(EFG)法により単結晶材を製造する単結晶材製造方法において、平板形状の単結晶を成長させる液だまり304の長手方向に対して垂直な方向に結晶成長用のシード基板130を配置して引き上げることにより、平板形状の単結晶材を製造する。すなわち、シード基板130と原料の溶融液面との接触面積を小さくすることにより、結晶欠陥の発生確率を小さくすることができ、これにより、製造する単結晶材の歩留まりを向上することが可能となる。
請求項（抜粋）：
エッジデファインド・フィルムフェッド・グロース(EFG)法により単結晶材を製造する単結晶材製造方法において、平板形状の単結晶を成長させる原料溶融液面の長手方向に対して垂直な方向に結晶成長用のシード基板を配置して引き上げることにより、前記平板形状の単結晶材を製造することを特徴とする単結晶材製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (8件)：
4G077AA02
, 4G077BB01
, 4G077CF03
, 4G077ED01
, 4G077EG30
, 4G077HA12
, 4G077PK05
, 4G077PK07
出願人引用 (2件)
-
特開昭55-067599
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ルチル単結晶の育成方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平4-103594
出願人：秩父セメント株式会社
審査官引用 (2件)
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特開昭55-067599
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ルチル単結晶の育成方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平4-103594
出願人：秩父セメント株式会社
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