特許
J-GLOBAL ID：200903038906066354
メモリアレイ内の破損選択線を脱選択状態とさせる構成体
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小橋 一男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-116982
公開番号（公開出願番号）：特開平7-122098
出願日： 1994年05月30日
公開日（公表日）： 1995年05月12日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 選択線の速度及び選択状態に悪影響を与えることなしにメモリアレイ内のフローティングしている選択線が充電することを防止する。【構成】 メモリアレイ内の破損した選択線を脱選択状態に保持する構成体は、高インピーダンス装置であって、それは選択線の端部に配置されており、従って選択線が製造中に破損されると、高インピーダンス装置が選択線の破損した端部を所望の脱選択電圧に保持する。一端部においてのみドライバを有しており且つ製造中に破損されたが他端部において高インピーダンス装置を有する選択線はフロートすることはない。この高インピーダンス装置は、又、破損しておらず前に一端部においてのみ取付けられていた選択線に対しても適切である。適宜の高インピーダンス装置としては、逆バイアスしたダイオード、弱いトランジスタ、ポリシリコン抵抗メモリセル負荷装置、及びオン又はオフTFTメモリセル負荷装置等がある。
請求項（抜粋）：
メモリアレイの一部を選択するメモリアレイ回路において、複数個のメモリセルが設けられており、選択電圧レベルに設定された場合に前記メモリアレイ内のメモリセルの一部を選択し且つ脱選択電圧レベルに設定された場合に前記メモリアレイの一部を脱選択状態とさせる複数個の選択線が設けられており、各選択線は、第一端部と第二端部とを有しており、前記選択線の第一端部はドライバへ接続しており、前記選択線の各々の第二端部へ接続しており且つ前記選択線が破損した場合に前記選択線の各々を前記脱選択電圧レベルに保持する複数個の高インピーダンス装置が設けられている、ことを特徴とするメモリアレイ回路。
IPC (2件)：
G11C 29/00 301
, G11C 11/413
