特許
J-GLOBAL ID：200903038913833212
パターン形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柿本 恭成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-011473
公開番号（公開出願番号）：特開平8-203876
出願日： 1995年01月27日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：
【要約】【目的】 デバイスの信頼性を向上させ、製造工程を簡単にする。【構成】 シリコン基板51上にAl配線52を形成した後、CVD法により、PE-TEOS膜53を形成する。感光性樹脂組成物である感光性SOG膜54を回転塗布する。SOG膜54をKrFエキシマステッパで光照射し、ベーキングする。次に、現像、リンスして、ポストペーキングて、ホールパターン55を形成する。CVD法により、PE-TEOS膜58を形成する。全面をPE-TEOS膜56を異方性エッチングによりエッチバックして、ビヤホール58を開口して、Al配線52を露出する。CVDより、バリアメタル層として、TiN59を形成する。バイアススパッタ法により、膜厚0.6μmのAl電極60を形成する。
請求項（抜粋）：
素子領域と電極配線とが形成された基板上にSOG膜を形成成する工程と、前記SOG膜上にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして、前記SOG膜にホールを開口する工程と、前記レジストパターンを除去する工程と、前記SOG膜の側壁を覆うように、全面に絶縁膜を形成する工程と、前記SOG膜の前記ホール開口領域を前記素子領域又は前記電極配線が露出するまで異方的に前記絶縁膜をエッチバックしてホールパターン形成工程とを、順に施すことを特徴とするパターン形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/28
, H01L 21/768
H01L 21/302 J
, H01L 21/90 B
, H01L 21/90 S
