面発光レーザ装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：尾身祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-237833
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064462
出願日： 1995年08月24日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【目的】活性層に大きな歪みを導入できるようにして、揃った偏光の光を出射しうるようにする。【構成】凸部12aを有するサブキャリア12上にキャリア電極13を形成しその上に半田バンプ(14)を形成する。n型GaAs基板1上に、n型多層反射膜2、n型AlGaAsクラッド層3、InGaAs活性層4、p型AlGaAsクラッド層5、p型多層反射膜6を順次成長させ、p型多層反射膜を8μm□にエッチングし、多層反射膜6を覆うp側電極7を形成して、複数の面発光レーザ素子10を有する面発光レーザ基板20を作製する。p側電極7をマスクにプロトンを注入して素子分離用の高抵抗領域8を形成する。p側電極7上に金バンプ11を形成した後、レーザ基板20をサブキャリア12上に搭載し、リフローにより半田14付けすると共にレーザ基板20を凸部12aに当接させる。

請求項（抜粋）：

第1導電型半導体基板と、その上に形成された第1導電型クラッド層、活性層および第2導電型クラッド層とを有し、前記第1導電型半導体基板側から光を放出する面発光レーザ素子が少なくとも1個形成されている面発光レーザ基板が、前記第1導電型半導体基板側を上にして支持基板上に搭載されている面発光レーザ装置において、前記面発光レーザ基板上に形成された第2導電型側の電極が支持基板上に形成された基板電極に半田を介して接続されており、前記支持基板上に形成された複数の凸部が前記面発光レーザ基板に当接していることを特徴とする面発光レーザ装置。

引用特許：

審査官引用 (1件)

光電素子の実装方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-067257 出願人：日本電気株式会社

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