特許

J-GLOBAL ID：200903038934573202

半導体記憶装置

発明者： 松本 美紀 ,  片山 雅弘
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 徳若 光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-314463
公開番号（公開出願番号）：特開平7-141870
出願日： 1993年11月19日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：

【要約】【目的】 簡単な構成により高速化を実現した半導体記憶装置を提供する。【構成】 複数の外部端子から入力された信号をそれぞれ取り込む複数の入力バッファの出力信号をそのままデコーダ回路に入力し、このデコーダ回路の出力信号を、クロックバッファにより取り込まれた内部クロック信号によりラッチする。【作用】 入力信号のセットアップ時間を利用して入力信号の取り込みとそのデコードとが行われるために、デコード確定のタイミングをその分速くすることができる。

請求項（抜粋）：

複数の外部端子から入力された信号をそれぞれ取り込む複数の入力バッファと、外部端子から入力されたクロック信号を取り込むクロックバッファと、上記入力バッファの出力信号をデコードするデコーダ回路と、このデコーダ回路の出力信号を上記クロックバッファにより取り込まれた内部クロック信号によりラッチするラッチ回路とを備えてなることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (3件)：

G11C 11/407 ,  G11C 16/06 ,  G11C 29/00 301

FI (2件)：

G11C 11/34 354 C ,  G11C 17/00 309 Z

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 同期型半導体記憶装置および半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-296339   出願人：三菱電機エンジニアリング株式会社, 三菱電機株式会社