特許

J-GLOBAL ID：200903038951410074

イメージングのための光センサにおける暗電流の抑制

発明者： チャンドラ、モーリ
出願人/特許権者： マイクロン テクノロジー インコーポレイテッド
代理人 (5件)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-525391
公開番号（公開出願番号）：特表2007-504666
出願日： 2004年09月01日
公開日（公表日）： 2007年03月01日
要約：

酸化物アイソレーション領域と光センサとの間に局在するハロゲンの豊富な領域を有する画素セルである。ハロゲンの豊富な領域はアイソレーション領域から光センサへの漏れを阻止し、それによって、イメージャ内の暗電流を抑制する。

請求項（抜粋）：

半導体基板と関連して第1のドープ領域および第2のドープ領域を有する光センサと、 前記基板に形成されたアイソレーション領域と、 前記アイソレーション領域の少なくとも側壁領域に局在するハロゲンの豊富な領域と、 を備える画素セル。

IPC (2件)：

H01L 27/146 ,  H01L 31/10

FI (2件)：

H01L27/14 A ,  H01L31/10 A

Fターム (19件)：

4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CB01 ,  4M118DD12 ,  4M118EA16 ,  4M118FA06 ,  4M118FA25 ,  4M118FA27 ,  4M118FA33 ,  4M118FA42 ,  5F049MA02 ,  5F049MB03 ,  5F049NA05 ,  5F049NB03 ,  5F049PA10 ,  5F049QA03 ,  5F049UA14

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 固体撮像素子を有する半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-166843   出願人：三菱電機株式会社
• 光電変換装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-118746   出願人：ソニー株式会社